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Enhanced Edge Etching Resistance and EUV Lithographic Performance of a Tin-Oxide Photoresist via a Blend Strategy https://t.co/ZHyUYq8Azo https://t.co/gO87pqYvA9
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RT @Semicon_Academy: 9月12日ACS ANM出版。 清華大学のチームが、EUV用金属カルボキシレート系レジストにスズ酸化物クラスターを配合することでエッジにおけるパターンのエッチング耐性と膜厚を改善したとのこと https://t.co/8kkFuhV0p…
9月12日ACS ANM出版。 清華大学のチームが、EUV用金属カルボキシレート系レジストにスズ酸化物クラスターを配合することでエッジにおけるパターンのエッチング耐性と膜厚を改善したとのこと https://t.co/8kkFuhV0pD https://t.co/iYa5Gtz2KD