九大、絶縁体垂直磁化膜「TmIG」の大面積成膜が可能な技術を開発
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九州大学(九大)は1月12日、半導体デバイスやスピントロニクスデバイスの作製において一般的に用いられる成膜技術「オンアクシススパッタリング」では不可能と思われていた絶縁体の垂直磁化膜「ツリウム鉄ガーネット」(TmIG)の作製に成功したことを発表した。 オンア…
九州大学(九大)は1月12日、半導体デバイスやスピントロニクスデバイスの作製において一般的に用いられる成膜技術「オンアクシススパッタリング」では不可能と思われていた絶縁体の垂直磁化膜「ツリウム鉄ガーネット」(TmIG)の作製に成功したことを発表した。 オンア…
2024-01-12 2024-01-11 九州⼤学 ポイント ⾼速制御可能なスピントロニクス材料の⼤⾯積作製⼿法を開発。 ツリウム鉄ガーネット薄膜をオンアクシススパッタリング法により作製する際、スパッタ原⼦の広がり⾓の違いが薄膜の磁気異⽅性を変化させること…