東大、交換バイアスによる次世代MRAM用反強磁性体の磁気秩序の制御に成功
Mycom,
東京大学(東大)は4月26日、不揮発性の「磁気抵抗メモリ」(MRAM)の次世代材料として開発した、マンガンとスズの合金であるワイル反強磁性体「Mn3Sn」の磁気秩序が、強磁性層の磁気状態安定化のために現行の強磁性体を用いたMRAMでも使われている界面磁気結合…
東京大学(東大)は4月26日、不揮発性の「磁気抵抗メモリ」(MRAM)の次世代材料として開発した、マンガンとスズの合金であるワイル反強磁性体「Mn3Sn」の磁気秩序が、強磁性層の磁気状態安定化のために現行の強磁性体を用いたMRAMでも使われている界面磁気結合…
2024-04-26 東京大学 朝倉 海寛(物理学専攻 博士課程学生) 肥後 友也(物理学専攻 特任准教授 東京大学物性研究所 リサーチフェロー) 松尾 拓海(物理学専攻 博士課程学生 ジョンズ・ホプキンス大学博士課程学生) 上杉 良太(東京大学特別研究員…